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安森美半导体拓展MOSFET和IGBT驱动器产品供应范围
[2008-4-29]来源:安森美半导体设计(上海)有限公司 作者:不详 人气:

  安森美半导体拓展MOSFET和IGBT驱动器产品供应范围,拓展了MOSFET驱动器集成电路系列,推出四款新器件──NCP5106、NCP5104、NCP5111和 NCP5304。

  便于高效电源解决方案领域的领先供应商安森美半导体(ON Semiconductor)公司拓展了MOSFET驱动器集成电路系列,推出四款新器件──NCP5106、NCP5104、NCP5111和 NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。

  这些新的高压、高端和低端驱动器工作在零下40度至零上125度的广宽规定工作温度范围内,并能工作在高达600伏(V)的输入电压,减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗扰度,并兼容于3.3 V和5 V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关,并提供强固的设计。

  此次推出的NCP5104、NCP5106、NCP5111和NCP5304提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N 沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。

  NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。

 
 
 
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